RAM产能提升，其战略布局清晰可见，正在加速让所有产线具备极紫外光刻EUV设备能力，为1β节点DRAM和HBM4/5生产铺路，同时在美国纽约州、爱达荷州及日本广岛推进晶圆厂建设，总投资达1000亿美元，其新加坡新工厂也预计2028年下半年投产，强化高端NAND闪存供给。 缺口：算力需求增速约为英伟达算
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发布时间：19:15:23
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