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; 封装方面,该内存采用3D堆叠与硅通孔互联技术,将多颗DRAM颗粒立体堆叠,有效提升了单条容量和信号传输效率。 能效方面,单条256GB内存运行功耗为11.1瓦,相比两条128GB内存组合方案总功耗19.4瓦,可降低40%以上运行功耗。 该内存主要面向大
万亿元,同比增长2.2%。原文链接
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发布时间:11:38:31